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SI4214DDY-T1-GE3  与  BSO220N03MD G  区别

型号 SI4214DDY-T1-GE3 BSO220N03MD G
唯样编号 A36-SI4214DDY-T1-GE3 A-BSO220N03MD G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 0.0195 Ohm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 19.5 mOhms @ 8A,10V 18.3mΩ
上升时间 - 2.8ns
Qg-栅极电荷 - 10nC
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 9S
封装/外壳 8-SOIC -
连续漏极电流Id 8.5A 7.7A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
配置 - Dual
长度 - 4.9mm
下降时间 - 3.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 15V
高度 - 1.75mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2W
典型关闭延迟时间 - 6.4ns
FET类型 2N-Channel 2N-Channel
通道数量 - 2Channel
系列 - OptiMOS3M
典型接通延迟时间 - 5.7ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
库存与单价
库存 24,578 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.969
100+ :  ¥1.518
1,250+ :  ¥1.32
2,500+ :  ¥1.243
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4214DDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.5A 2N-Channel 19.5 mOhms @ 8A,10V 3.1W 8-SOIC -55℃~150℃ 30V

¥1.969 

阶梯数 价格
30: ¥1.969
100: ¥1.518
1,250: ¥1.32
2,500: ¥1.243
24,578 当前型号
BSO220N03MDGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO220N03MD G_2 N-通道(双) 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AO4818BL AOS 功率MOSFET

8A(Ta) 2N-Channel 19 mΩ @ 8A,10V 8-SOIC 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
BSO220N03MD G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO220N03MDGXUMA1_-55°C~150°C(TJ) 7.7A 18.3mΩ 20V 2W 2N-Channel 30V

暂无价格 0 对比
AO4822AL AOS  数据手册 功率MOSFET

8A 2N-Channel 19 mΩ @ 8A,10V 8-SO 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO4914_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

8A 2N-Channel 20.5 mΩ @ 8A,10V 8-SO 2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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